Кривые зависимостей критических полей от температуры для сверхпроводников 1-го и 2-го рода изображены на рис. 6а и 6б. Для сверхпроводника 1-го рода кривые Нс(Т) имеют вид парабол. У сверхпроводников 2-го рода в области полей 0 < H < Нс1 значения R и В равняются нулю. В полях Нс1 < H < Hc2 образец находится в смешанном состоянии (0 < В < µ0H), но при этом сопротивление образца остается равным нулю.

При Hc2 объемная сверхпроводимость разрушается, но сохраняется поверхностная сверхпроводимость в тонком слое на поверхности, которая разрушается в поле Нс3 = 1,69 Hc2.

У сверхпроводников 1-го рода Нс(0) (при Т = 0) не превышают 105 А/м.

У сверхпроводников 2-го рода Hc2(0) достигают огромных величин, что позволяет создавать на их основе сверхпроводящие системы для создания сильных магнитных полей в больших объемах без затраты энергии на их поддержание. Hc2(0) имеют следующие значения: у Nb3Sn — 1,7 · 107 А/м; V3Ga - 2 · 107 А/м; Nb3Al - 2,6 · 107 А/м; Nb379(Al73Ge 27)21 - 3,4 · 107 А/м; PbMo36S8 - 4,8 · 107 А/м; керамики с Тс = 100 К — более 10