С помощью счётчика слабого бета – излучения можно зафиксировать рентгеновские лучи.

При наблюдении дифракции рентгеновских лучей, отражающие плоскости могут быть расположены либо параллельно поверхности образца, либо перпендикулярно.

В первом случае говорят, что кристалл вырезан по геометрии Брега.

Во втором случае говорят, что кристалл вырезан по геометрии Лауэ. (рисунок 18)

Рассмотрим аномальное прохождение рентгеновских лучей .Направим параллельный пучок монохроматических рентгеновских лучей параллельно плоскости. Если на пути этого луча ,проходящего сквозь пластинку, поставить счетчик слабого бета излучения ,то можно будет зафиксировать рентгеновское излучение.(рисунок 19)

Обозначим интенсивность падающего луча J0 ,а выходящего J,тогда получим зависимость:

J=J0 ·exp(-μ0 · t)

μ0 - линейный (фотоэлектрический) коэффициент поглощения фотоэлектрических лучей .Зависит от сорта атомов исследуемого образца.

Если пластина вырезана из монокристалла ,удовлетворяющего модели идеального кристалла, то поворачивая кристалл относительно нормали к поверхности образца и плоскости рисунка до тех пор пока угол скольжения Q не станет равным углу Q из условия Вульфа-Брега :

2·d· sin Q =λ (рисунок 19 лучи 2, 2’ и 2”)

Регистрируя счетчиком прямой и отраженные лучи мы можем прийти к соотношению :

J =J = 0,25 ·J0 ·exp(- μ· t)

μ- интерференционный коэффициент поглощения (аномальный).Получаем ,что здесь интенсивность больше ,чем в случае параллельного прохождения рентгеновских лучей ,так как μ > μ0 (для Ge , Si , GaAs )

Впервые это явление обнаружил немецкий физик Борман. Для наблюдения эффекта Бормана кристалл должен удовлетворять условиям :

Кристалл должен быть практически бездефектным, идеальным.

Кристалл должен быть “толстым”, удовлетворять условию: μ0 · t 10

Аномальное прохождение будет возможно лишь при условии выполнения условия Вульфа – Брега.