* Произвольный ввод/вывод данных возможен в пределах 1 страницы.

Ускорить запись данных можно при помощи кэш-регистра объемом 2112 байт. Запись в кэш-регистр может быть произведена во время перезаписи данных из регистра данных в ячейки памяти (во время программирования). После окончания программирования, при наличии данных в кэш регистре, внутренний контроллер микросхемы перепишет данные из кэш-регистра в регистр данных и начнет запись новой страницы.

Устройство реализует функцию автоматического чтения при включении питания, которая обеспечивает последовательный доступ к данным первой страницы после включения питания без ввода команды и адреса.

В дополнение к расширенной архитектуре и интерфейсу устройство включает функцию резервного копирования данных с одной страницы на другую без использования внешней буферной памяти. Т.к. трудоемкие циклы последовательного доступа и ввода данных исключены, то производительность системы для применения в полупроводниковых дисках значительно улучшена.

Устройство может содержать недопустимые блоки при первом использовании. Во время использования микросхемы количество недопустимых блоков может возрасти. Недопустимые блоки – это блоки, которые содержат 1 или более изначально неработоспособных битов, надежность которых не гарантируется компанией Samsung. Устройства с недопустимыми блоками имеют тот же уровень качества и те же динамические и статические характеристики, как и устройства без таких блоков. Недопустимые блоки не влияют на работу нормальных блоков, потому что они изолированы от разрядной шины и общей шины питания транзистором выбора. Система спроектирована таким образом, что у недопустимых блоков блокируются адреса. Соответственно, к некорректным битам попросту нет доступа. Первый блок, помещаемый в 00-й адрес, должен использоваться для хранения загрузочной информации. SAMSUNG уверяет, что он будет гарантированно допустимым, не требующим исправления ошибок в течение 1 Кциклов записи/чтения.

Изначально содержимое всех ячеек микросхемы стерто (FFh), за исключением ячеек, где хранится информация о недопустимых блоках, записанная до этого. Допустимость блока определяется 1-ым байтом запасного пространства. Samsung уверяет, что 1 или 2 страница каждого недопустимого блока по адресу столбца 2048 содержит данные, отличающиеся от FFh. Так как информация о недопустимых блоках является стираемой, то в большинстве случаев стирания ее невозможно восстановить. Поэтому, в системе должен быть заложен алгоритм, способный создать таблицу недопустимых блоков, защищённую от стирания и основанную на первоначальной информации о бракованных блоках. Любое намеренное стирание информации о недопустимых блоках запрещено.

Следовательно есть вероятность выхода из строя блоков микросхемы во время эксплуатации системы, что может привести к потере информации. Для повышения надежности хранения информации следует увеличить объем основного накопитель в два раза до 8 Гб.